Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB против Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB

Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 54

Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.6 5.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.6 4.2

Среднее значение в тестах

Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB

Причины выбрать
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 54
Скорость чтения, Гб/сек

14.6 5.3
Скорость записи, Гб/сек

9.6 4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2409 1277

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB

Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston KMKYF9-MIH 8GB

Kingston KMKYF9-MIH 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9965640-004.C00G 16GB

Kingston 9965640-004.C00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB

A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB

модули RAM