RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2307
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link