RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.5
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2311
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link