RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
76
Около 63% меньшая задержка
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
76
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1754
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link