RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
71
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1866
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kllisre 0000 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link