RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2977
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link