RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2946
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link