RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
28
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3022
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link