Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 35

Около 20% меньшая задержка

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Причины выбрать
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.3 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.6 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 35
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 15.3
Скорость записи, Гб/сек

7.5 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 3371

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB

Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB

модули RAM