RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2971
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link