RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3550
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link