Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 30

Около 7% меньшая задержка

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.2 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 30
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 16.2
Скорость записи, Гб/сек

7.5 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 2966

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

модули RAM