RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
19.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3972
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link