Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 30

Около 7% меньшая задержка

Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

19.7 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.3 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 30
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 19.7
Скорость записи, Гб/сек

7.5 17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 3834

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB

Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

модули RAM