RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3012
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link