RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2634
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link