RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2408
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link