RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3271
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link