RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3560
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link