RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3024
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link