Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 30

Около 7% меньшая задержка

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

20.1 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.6 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 8500

Около 2.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 30
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 20.1
Скорость записи, Гб/сек

7.5 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 21300

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 3443

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 9905624-010.A00G 4GB

Kingston 9905624-010.A00G 4GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5702-025.A00G 8GB

Kingston 99U5702-025.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

модули RAM