Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 28

Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.3 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.5 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 8500

Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 22
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 16.3
Скорость записи, Гб/сек

7.5 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 19200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 2738

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

модули RAM

ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

модули RAM

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

модули RAM

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB

модули RAM

Mushkin 994083 4GB

Mushkin 994083 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB

модули RAM