RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3663
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link