RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
20.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
4114
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link