RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2346
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link