RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2901
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link