RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3501
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link