RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
61
Около 54% меньшая задержка
Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
61
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2096
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link