RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3033
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link