RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2323
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link