RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2323
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link