RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641152 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против INTENSO 5641152 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    7.5 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
INTENSO 5641152 4GB Причины выбрать
INTENSO 5641152 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 28
    Около -22% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.1 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 8500
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 14.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 6.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1988 left arrow 2215

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

INTENSO 5641152 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641152 4GB
INTENSO 5641152 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
модули RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
модули RAM