RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
95
Около 71% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
95
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1450
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link