RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2929
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link