RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2486
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link