RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston K821PJ-MIH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2792
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-442.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link