RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3101
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link