RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston KV0M5R-MIE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3268
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link