RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
47
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
11.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1967
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB Сравнения RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
INTENSO 5641162 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link