RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2502
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link