RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2288
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link