RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2417
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link