RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2854
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link