RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2954
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link