RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Panram International Corporation M424016 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424016 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
12.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2035
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link