RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
28
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
20.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3529
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link