RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
90
Около 69% меньшая задержка
Причины выбрать
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
90
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1743
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link