RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около 56% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
63
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1932
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link