RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
67
Около 58% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
67
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1879
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link