RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3029
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QHY-YK0 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link