RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 74
    Около 62% меньшая задержка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    13.6 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.7 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 8500
    Около 2.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 74
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1988 left arrow 1616

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
модули RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
модули RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
модули RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
модули RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
модули RAM
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
модули RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
модули RAM